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J-GLOBAL ID：201802287407811223   整理番号：18A0912166

エネルギー効率の良いサブ0.2V動作のための強誘電体HfO₂を持つ二重ゲート負容量FETのゲートスタックスケーラビリティについて

On gate stack scalability of double-gate negative-capacitance FET with ferroelectric HfO₂ for energy efficient sub-0.2 V operation

著者 (4件)： JANG Kyungmin (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Masaharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 2  ページ： 024201.1-024201.5  発行年： 2018年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS互換強誘電体HfO₂(FE:HFO₂)を用いた二重ゲート負容量FET(DGNCFET)のゲートスタックスケーラビリティとエネルギー効率を調べた。解析的モデルベースシミュレーションを行い,DGNCFETのI_on/I_off比に及ぼすFE:HFO₂の強誘電特性とゲートスタック厚の影響を調べた。DGNCFETは,より高いI_on/I_off比がDGの古典的MOSFETよりも達成できるゲートスタックのためのより広い設計ウインドウを有している。サブ10nmゲート長(L_g)によるプロセス誘起制約の下で,FE:HFO₂ベースDGNCFETは,高いI_on/I_off比のための設計点をまだ持っている。サブ10nmのL_gに対する最適化ゲートスタック厚さによって,FE:HFO₂ベースDGNCFETは,サブ0.2Vの超低動作電圧においてさえ,DG古典的MOSFETよりも2.5倍高いエネルギー効率を持つ。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  強誘電体 ,  酸化ハフニウム ,  静電容量 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *MOSFET ,  ゲート絶縁膜 ,  スイッチング ,  エネルギー効率 ,  電流電圧特性 ,  バンド構造
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  *二重ゲート ,  *積層ゲート ,  負性容量 ,  負性容量FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (29件)：

• R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, V. L. Rideout, E. Bassous, and A. R. LeBlanc, IEEE J. Solid-State Circuits 9, 256 (1974).
• Y. Taur and T. H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices (Cambridge University Press, Cambridge, U.K., 2013) 2nd ed., Chap. 3.
• S. Salahuddin and S. Datta, Nano Lett. 8, 405 (2008).
• A. Rusu, G. A. Salvatore, D. Jiménez, and A. M. Ionescu, IEDM Tech. Dig., 2010, p. 395.
• H. Ota, T. Ikegami, J. Hattori, K. Fukuda, S. Migita, and A. Toriumi, IEDM Tech. Dig., 2016, p. 318.

タイトルに関連する用語 (6件)： エネルギー効率 ,  サブ ,  強誘電体 ,  HfO2 ,  二重ゲート ,  FET