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J-GLOBAL ID：201802289512243879   整理番号：18A1212559

6H-SiC(0001)上のSiドーピング超格子構造の光電特性【JST・京大機械翻訳】

Photoelectric Properties of Si Doping Superlattice Structure on 6H-SiC(0001)

著者 (5件)： Li Lianbi (School of Science, Xi’an Polytechnic University, Xi’an 710048, China) ,  Zang Yuan (Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Hu Jichao (Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Lin Shenghuang (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China) ,  Chen Zhiming (Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
資料名： Materials (Web)  (Materials (Web))
巻： 10  号： 6  ページ： 583  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7237A  ISSN： 1996-1944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC上のp/n-Siドーピング超格子構造(DSL)のエネルギーバンド構造と可視光電子特性をSilvaco-TCADによりシミュレートした。化学蒸着により,6H-SiC(0001)Si面上に40nm-p-Si/50nm-n-Si多層膜を有するSi-DSL構造を作製することに成功した。p/n-Si DSLのTEM特性化により,優先配向を持つSi膜のエピタキシャル成長と,p-Si/n-Si界面における1/3<21-1のBurgersベクトルを持つミスフィット転位が確認された。この装置は明らかな整流挙動を有し,ターンオン電圧は約1.2Vであった。0.6W/cm2の可視光照射下で,素子は2.1mA/cm2の光電流密度で顕著な光電応答を示した。Si-DSL/6H-SiCヘテロ構造の可視光動作を初めて実現した。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  整流 ,  優先配向 ,  キャラクタリゼーション ,  電流密度 ,  *ドーピング ,  界面 ,  *ケイ素 ,  多層膜 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *炭化ケイ素 ,  *超格子 ,  可視光
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Si/6H-SiCヘテロ構造 ,  ドーピング超格子 ,  光電特性 ,  化学蒸着 ,  透過型電子顕微鏡

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• Seely, J.F.; Kjornrattanawanich, B.; Holland, G.E.; Korde, R. Response of a SiC photodiode to extreme ultraviolet through visible radiation. Opt. Lett. 2005, 30, 3120-3122.
• Hu, J.; Xin, X.; Zhao, J.H.; Yan, F.; Guan, B.; Seely, J.; Kjornrattanawanich, B. Highly sensitive visible-blind extreme ultraviolet Ni/4H-SiC Schottky photodiodes with large detection area. Opt. Lett. 2006, 31, 1591-1593.
• Lin, S.H.; Chen, Z.M.; Liu, B.; Li, L.B.; Feng, X.F. Identification and control of SiC polytypes in PVT method. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2010, 21, 326-330.
• Liu, W.T.; Chen, Z.M. Feasibility of the light-activation in 4H-SiC thyristors. Power Electron. 2011, 45, 89-91.
• Lin, S.H.; Chen, Z.M.; Liang, P.; Ba, Y.T.; Liu, S.J. Formation and suppression of misoriented grains in 6H-SiC crystals. CrystEngComm 2011, 13, 2709-2713.

タイトルに関連する用語 (4件)： 6H-SiC ,  Si ,  ドーピング超格子 ,  光電特性