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J-GLOBAL ID：201802289613041646   整理番号：18A1646031

神経形態プロセッサのための複合メモリスタダイオードクロスバに基づく3Dメモリマトリックス【JST・京大機械翻訳】

3D memory matrix based on a composite memristor-diode crossbar for a neuromorphic processor

著者 (4件)： Pisarev Alexander (Research-Educational Center “Nanotechnology”, Tyumen State University, Volodarskogo st. 6, 625003 Tyumen, Russia) ,  Busygin Alexander (Research-Educational Center “Nanotechnology”, Tyumen State University, Volodarskogo st. 6, 625003 Tyumen, Russia) ,  Udovichenko Sergey (Research-Educational Center “Nanotechnology”, Tyumen State University, Volodarskogo st. 6, 625003 Tyumen, Russia) ,  Maevsky Oleg (Nanodevices LTD, Voronezh, Russia)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 198  ページ： 1-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリ,低エネルギー消費,および相補的双極メムリスタとZenerダイオードを組み込んだセルに基づく素子の大規模集積を持つ超大多層メモリマトリックスのための電気回路,トポロジー,および製造技術を開発した。情報技術に適用できるメモリ行列と異なり,提案した行列は情報を保存できるだけでなく,メムリスタを通過する入力信号の電圧重み付けとそれらの要約を可能にする。入力インパルスを送るために特別な回路を選択することによって,加算が達成されるとき,より多くの信号劣化が達成される。技術的には,素子の大規模集積を,活性メムリスタ層と半導体Zenerダイオード層を含む同一水平相互反射複合クロスバーから成る三次元構造への結晶上の平面二層メモリ行列の逐次垂直ビルドアップにより実現した。マグネトロンプロセスモジュールを用いて,真空技術により,両方の層と導電性経路を作製することができた。一般的にセルとマトリックスの要素のパラメータと動作モードの最適化を可能にするSPICEモデルを,Zenerダイオードを有する複合メムリスタクロスバー用に構築した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気回路 ,  多層 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  LSI【IC】 ,  位相幾何学 ,  最適化 ,  半導体 ,  *演算プロセッサ ,  *三次元 ,  生産技術 ,  不揮発性メモリ ,  導電性 ,  Zenerダイオード ,  *記憶装置

著者キーワード (4件)： 神経型プロセッサ ,  記憶マトリックス ,  補完メムリスタ ,  Zenerダイオード

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 神経 ,  形態 ,  プロセッサ ,  3D ,  マトリックス