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J-GLOBAL ID：201802290030206551   整理番号：18A0910800

表面活性化接合を用いたp-Si/n-4H-SiCヘテロ界面を横切る少数電子の輸送特性

Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces

著者 (6件)： SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMIZU Sae (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  LIANG Jianbo (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  SHINGO Masato (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  SHIOJIMA Kenji (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  ARAI Manabu (New Japan Radio Co., Ltd., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 2S1  ページ： 02BE04.1-02BE04.5  発行年： 2018年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *接合 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *界面 ,  *少数キャリア ,  *特性 ,  *表面活性化接合 ,  *ヘテロ界面
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *輸送特性

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  接着  (WC07020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 表面活性化接合 ,  Si ,  4H-SiC ,  ヘテロ界面 ,  電子 ,  輸送特性