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J-GLOBAL ID：201802290199379931   整理番号：18A0630990

(001)GaAs基板上にMBE成長したGaAsBi/GaAs多重量子井戸の偏光依存PL

著者 (6件)： 樋口憧生 (愛媛大) ,  塚本晟 (愛媛大) ,  伊藤瑛悟 (愛媛大) ,  田中佐武郎 (愛媛大) ,  石川史太郎 (愛媛大) ,  下村哲 (愛媛大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.17p-F214-11  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  多層膜 ,  半導体薄膜 ,  MBE成長 ,  発光スペクトル ,  偏光 ,  *ヒ化ガリウム ,  *多重量子井戸 ,  結晶方位 ,  基板 ,  ビスマス化合物 ,  放射強度 ,  発光強度 ,  偏光依存性 ,  ヒ化ガリウム基板
準シソーラス用語： GaAs基板

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAsBi ,  GaAs ,  多重量子井戸 ,  偏光 ,  PL