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J-GLOBAL ID:201802291227988763   整理番号:18A1212603

SiCl4-BCl3-NH3-H2-Ar環境におけるSiBN堆積速度に及ぼすSiCl4流速の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of the SiCl4 Flow Rate on SiBN Deposition Kinetics in SiCl4-BCl3-NH3-H2-Ar Environment
著者 (7件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 627  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7237A  ISSN: 1996-1944  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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SiBN中間相を有するSiCf/SiCまたはC/SiC複合材料の熱的および機械的安定性を改善するために,SiCl4-BCl3-NH3-H2-Arガスシステムを用いて,SiBN被覆を低圧化学蒸着(LPCVD)によって蒸着した。堆積速度に及ぼすSiCl4流量の影響を調べた。結果は,堆積速度が最初に増加し,次にSiCl4流量の増加とともに減少することを示した。皮膜の表面は,10mL/分と20mL/分のSiCl4流量で均一なカリフラワー状構造である。流速が30mL/分のとき,表面は小さな球状粒子で覆われている。種々のSiCl4流量で蒸着した皮膜はすべてX線非晶質で,Si,B,N,O元素を含んでいた。主な結合状態はB-N,Si-N,及びN-Oである。B元素とB-N結合はSiCl4流量の増加とともに減少したが,Si元素とSi-N結合は増加した。主な堆積機構は,BCl3+NH3とSiCl4+NH3の2つの平行反応を示す。堆積過程は主にBCl3+NH3の反応によって制御される。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 
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