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J-GLOBAL ID：201802291663610308   整理番号：18A1597003

低エネルギー誘起バルクGaAsアバランシェ半導体スイッチの故障機構:シミュレーション解析と実験結果【JST・京大機械翻訳】

Failure Mechanism of a Low-Energy-Triggered Bulk Gallium Arsenide Avalanche Semiconductor Switch: Simulated Analysis and Experimental Results

著者 (5件)： Hu Long (Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China) ,  Su Jiancang (Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China) ,  Qiu Ruicheng (School of Electronic and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Fang Xu (Science and Technology on High Power Microwave Laboratory, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an, China) ,  Wang Jingxuan (Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 9  ページ： 3855-3861  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高速スイッチングによる低エネルギーで誘発されたバルクヒ化ガリウムアバランシェ半導体スイッチにおいて,破壊機構を数値的および実験的に検討した。接触に沿った電流密度分布の特性を調べ,活性領域に隣接する接触における密度は構造の平均のそれよりも高いことが分かった。特に,陰極トリガによる電流密度のピーク振幅は,陽極トリガによるものより高い。超高電流密度は最初に活性領域に隣接する接触金属を損傷し,スイッチは陰極トリガによって劣化するのが脆弱である。寿命改善は,陰極トリガスイッチとは対照的に陽極トリガスイッチにおいて実験的に達成され,数値解析の演繹を検証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アノード ,  カソード ,  *スイッチ ,  *シミュレーション ,  活性部位 ,  数値解析 ,  スイッチング ,  *ヒ化ガリウム ,  電流密度
準シソーラス用語： 脆弱性 ,  破壊機構 ,  超高速 ,  故障メカニズム ,  *半導体スイッチ ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： サイリスタ  (NC03060C) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低エネルギー ,  誘起 ,  バルク ,  GaAs ,  半導体スイッチ ,  故障 ,  シミュレーション解析 ,  実験結果