Gao Jingnan について
School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China について
Jin Yufeng について
School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China について
Xie Bing について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Wen Cheng P. について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Hao Yilong について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Shen Bo について
School of Physics, Peking University, Beijing, China について
Wang Maojun について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
IEEE Electron Device Letters について
ドライエッチング について
ヘテロ接合 について
Schottky障壁ダイオード について
界面 について
チャネル について
カソード について
オン抵抗 について
LPCVD について
性能指数 について
アノード について
窒化ガリウム について
漏れ電流 について
ウェットエッチング について
絶縁破壊電圧 について
AlGaN/GaN について
トランジスタ について
LPCVD について
自己 について
終端 について
損傷 について
均一性 について
オン抵抗 について
GaN について
Schottky障壁ダイオード について