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J-GLOBAL ID：201802292097714698   整理番号：18A0973535

LPCVD Si_3N_4適合自己終端,低損傷アノードレス技術を用いた高V_ON均一性の低オン抵抗GaN Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Low ON-Resistance GaN Schottky Barrier Diode With High $V_{¥mathrm{ON}}$ Uniformity Using LPCVD Si₃N₄ Compatible Self-Terminated, Low Damage Anode Recess Technology

著者 (7件)： Gao Jingnan (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China) ,  Jin Yufeng (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen, China) ,  Xie Bing (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wen Cheng P. (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Hao Yilong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Shen Bo (School of Physics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Maojun (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 6  ページ： 859-862  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターでは,二重AlGaN/GaNヘテロ接合構造上の再構成陽極Schottky障壁ダイオード(SBD)を実証した。低圧化学蒸着(LPCVD)Si_3N_4マスクによる自己終端,酸化/湿式エッチングを陽極リセス過程に適用した。通常のプラズマベースのドライエッチング技術とは異なり,エッチング表面はイオン衝撃を受けず,エッチ深さは正確に制御される。結果として,1079cm2/Vsの高い有効チャネル移動度を,凹表面下のチャネルに維持した。15μmの陽極対陰極距離(L_AC)を持つ作製した素子は,0.69±0.03Vの均一で低いターンオン電圧(V_ON)と2.83mΩcm2の低い比オン抵抗(R_ON,SP)を示すことが分かった。また,SBDは,LPCVD成長Si_3N_4の支援と共に,滑らかな凹界面による優れたオフ状態ブロッキング特性を示した。1μA/mmの漏れ電流基準において,15μmL_ACを有するSBDに対して,1190Vの絶縁破壊電圧を達成し,そして,Barigaの性能指数は,500MW/cm2であった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドライエッチング ,  ヘテロ接合 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  界面 ,  チャネル ,  カソード ,  *オン抵抗 ,  *LPCVD ,  性能指数 ,  *アノード ,  *窒化ガリウム ,  漏れ電流 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： LPCVD ,  自己 ,  終端 ,  損傷 ,  均一性 ,  オン抵抗 ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード