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J-GLOBAL ID：201802298218800368   整理番号：18A1860012

ポリゲートデバイス下のドーパント欠陥を調べるための走査型マイクロ波顕微鏡ナノ-C-Vの応用【JST・京大機械翻訳】

Application of Scanning Microwave Microscopy nano-C-V to investigate dopant defect under a poly gate device

著者 (5件)： Amster O. (PrimeNano, Inc., 4071 Patrick Henry Dr, Bldg 8, Santa Clara, CA 95405, USA) ,  Rubin K.A. (PrimeNano, Inc., 4071 Patrick Henry Dr, Bldg 8, Santa Clara, CA 95405, USA) ,  Yang Y. (PrimeNano, Inc., 4071 Patrick Henry Dr, Bldg 8, Santa Clara, CA 95405, USA) ,  Iyer D. (ON Semiconductor, 5005 E. McDowell Rd, Phoenix, AZ, USA) ,  Messinger A. (ON Semiconductor, 5005 E. McDowell Rd, Phoenix, AZ, USA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 88-90  ページ： 250-254  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査マイクロ波インピーダンス顕微鏡(SMIM)とSCMを用いて,N型ゴースト欠陥として同定された断続的プロセス破壊を調べた。標準接触モードdC/dV(走査容量顕微鏡等価)と局所C-V掃引による非共鳴イメージングを用いて,2つの試料を調べた。SCMとSMIM dC/dVは欠陥の同定に決定的ではないことを示した。しかし,局在化容量対電圧(C-V)曲線によるイメージングはドーパント欠陥を同定し,特性化することができた。疑われた故障は,ゲートのセクションの下に位置した。故障位置におけるn型キャリアは,システムが負にバイアスされており,通常のデバイスの電気的挙動を示す同一に調製された制御サンプルには存在しない場合にのみ見られた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 画像処理 ,  共鳴 ,  *ドーパント ,  ゴースト ,  *マイクロ波 ,  *顕微鏡 ,  故障 ,  キャラクタリゼーション ,  インピーダンス ,  *走査 ,  電圧
準シソーラス用語： 局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡 ,  SMIM ,  ナノスケールC-V曲線 ,  電気的特性化ドーピング濃度 ,  ドーピング欠陥分析 ,  SPM ,  AFM

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドーパント ,  欠陥 ,  走査型マイクロ波顕微鏡 ,  応用