窒化物半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：鎌田健司 , 前田浩夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-556209
特許番号：特許第6244557号
出願日： 2013年10月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、前記基板の上に形成された緩衝層と、前記緩衝層の上に、第1の窒化物半導体層と該第1の窒化物半導体層に比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層とを含む半導体層がこの順に2周期以上積層された積層体と、前記積層体の側面から上面に連続した第1の領域に形成された第1の電極と、前記積層体の側面から上面に連続した領域のうち前記第1の領域以外の一部の領域である第2の領域に形成された第2の電極とを有し、前記半導体層において前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層との界面にはチャネル層が形成され、最上層の前記半導体層の前記チャネル層のキャリア濃度は、他の前記半導体層の前記チャネル層のキャリア濃度より低く、前記第1の窒化物半導体層は、GaNで構成され、前記第2の窒化物半導体層は、AlGaNで構成され、最上層の前記第2の窒化物半導体層を構成するAlGaNのAl組成比は、他の前記第2の窒化物半導体層を構成するAlGaNのAl組成比より低い窒化物半導体デバイス。

IPC (11件)：

H01L 29/872 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 29/41 ( 200 6.01) , H01L 29/47 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 21/337 ( 200 6.01) , H01L 29/808 ( 200 6.01)

FI (10件)：

H01L 29/86 301 F , H01L 21/28 301 B , H01L 29/44 S , H01L 29/48 F , H01L 29/48 D , H01L 29/86 301 D , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 S , H01L 29/80 H , H01L 29/80 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

窒化物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-286613 出願人：パナソニック株式会社
窒化物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-203978 出願人：パナソニック株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-328189 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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審査官引用 (4件)

窒化物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-286613 出願人：パナソニック株式会社
窒化物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-203978 出願人：パナソニック株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-328189 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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