特許

J-GLOBAL ID：200903023610023458

半導体素子

発明者： 中島 昭 ,  安達 和広 ,  清水 三聡 ,  奥村 元
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-328189
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134607
出願日： 2005年11月11日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】 本発明の解決しようとする課題は、分極による正及び負の両方の固定電荷を積極的に利用し、それにより形成される分極接合を利用した半導体素子を提供することである。【解決手段】 2種類以上の半導体を、少なくとも2個以上の半導体のヘテロ接合を形成するように3層以上積層した半導体素子において、上記ヘテロ接合の界面に分極により発生する正及び負の固定電荷による第一の導電型のキャリア及び第二の導電型のキャリアを同時に発生させるようにした分極接合を有する半導体素子を提供する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

2種類以上の半導体を、少なくとも2個以上の半導体のヘテロ接合を形成するように3層以上積層した半導体素子において、 上記ヘテロ接合の界面に分極により発生する正及び負の固定電荷による第一の導電型のキャリア及び第二の導電型のキャリアを同時に発生させるようにした分極接合を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (5件)：

H01L29/91 H ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/91 F ,  H01L29/48 D

Fターム (3件)：

4M104AA04 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-004918   出願人：富士電機株式会社
• 超接合半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-237286   出願人：富士電機株式会社
• 超接合ショットキーダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-268460   出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-241899   出願人：松下電器産業株式会社
• 酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-273746   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-088973   出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Polarization effects in AlGaN/GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructures