特許
J-GLOBAL ID：200903075245475441

窒化物半導体装置

発明者：
石田 秀俊

石田 秀俊 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-286613
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117485
出願日： 2007年11月02日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】従来のGaN系ダイオードに比べ、十分に低いオン抵抗を有するとともに、容量の低い高速性に優れた特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】基板101と、バッファー層102と、窒化物半導体からなる層(GaN層103)と、その窒化物半導体(GaN層103)よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体からなる層(AlGaN層104)とが積層されたヘテロ接合体(103および104)を少なくとも一つ有する積層構造体(103および104)と、積層構造体(103および104)の第一の端部に形成され、ヘテロ接合体(103および104)とショットキー接続されるショットキー電極106と、積層構造体(103および104)の第二の端部に形成され、ヘテロ接合体(103および104)とオーミック接続されるオーミック電極107とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる層と、前記窒化物半導体よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体からなる層とが積層されたヘテロ接合体を少なくとも一つ有する積層構造体と、 前記積層構造体の第一の端部に形成され、前記ヘテロ接合体とショットキー接続されるショットキー電極と、 前記積層構造体の第二の端部に形成され、前記ヘテロ接合体とオーミック接続されるオーミック電極と を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/41
FI (3件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/44 L
Fターム (8件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104FF27 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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