特許
J-GLOBAL ID:201803001432215522
アルミニウム膜被着方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 蛯谷 厚志
, 出野 知
, 胡田 尚則
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-030825
公開番号(公開出願番号):特開2012-167370
特許番号:特許第6317056号
出願日: 2012年02月15日
公開日(公表日): 2012年09月06日
請求項(抜粋):
【請求項1】 薄いシリコンウエハである基材上にアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜をスパッタリングにより被着させる方法であって、
(a)基材を支持体上に配置すること、
(b)前記基材を固定していない状態で前記基材上にアルミニウム又はアルミニウム合金の第1層を0.5μm以上被着させること、
(c)前記基材を前記支持体に固定し、そして前記第1層より厚いアルミニウム又はアルミニウム合金の第2層を22°C未満の基材温度で、前記第1層に連続して被着させること、
を含むアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜被着方法。
IPC (3件):
C23C 14/14 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
FI (3件):
C23C 14/14 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/285 S
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開平1-150335
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半導体デバイスの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-246477
出願人:エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-063242
出願人:三洋電機株式会社
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