特許
J-GLOBAL ID：201803001618073248
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
永田 豊
, 大島 孝文
, 太田 司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-077550
公開番号（公開出願番号）：特開2018-141996
出願日： 2018年04月13日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：
【課題】窒化ケイ素材料からなる単層の位相シフト膜では実現が困難な20%以上の透過率を有する位相シフト膜を、透光性基板側から順に配置された低透過層と高透過層とからなる1組の積層構造を2組以上有する構造により実現し、そのような位相シフト膜を備えたマスクブランクを提供する。【解決手段】位相シフト膜2はArFエキシマレーザーの露光光を20%以上の透過率で透過させる機能を有し、位相シフト膜2は低透過層21と高透過層22とからなる1組の積層構造を2組以上有し、低透過層21は屈折率nが2.0以上でありかつ消衰係数kが0.2以上であり、高透過層22は屈折率nが2.0未満でありかつ消衰係数kが0.1以下であり、最上に設けられている高透過層22の厚さは最上以外に設けられている高透過層22の厚さよりも厚く、低透過層21の厚さは最上以外に設けられている高透過層22の厚さよりも厚い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、位相シフト膜を備えたマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を20%以上の透過率で透過させる機能を有し、
前記位相シフト膜は、前記透光性基板側から順に配置された低透過層と高透過層とからなる1組の積層構造を2組以上有する構造を含み、
前記低透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0以上であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.2以上であり、
前記高透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0未満であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.1以下であり、
最上に設けられている前記高透過層の厚さは、最上以外に設けられている前記高透過層の厚さよりも厚く、
前記低透過層の厚さは、最上以外に設けられている前記高透過層の厚さよりも厚い
ことを特徴とするマスクブランク。
IPC (3件)：
G03F 1/32
, C23C 14/06
, C23C 14/10
G03F1/32
, C23C14/06 P
, C23C14/10
, C23C14/06 A
2H195BA07
, 2H195BB10
, 2H195BB16
, 2H195BB25
, 2H195BC05
, 2H195BC11
, 2H195BC27
, 2H195BD02
, 4K029AA08
, 4K029AA24
, 4K029BA46
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BC08
, 4K029CA06
, 4K029DA04
, 4K029DC02
, 4K029DC05
, 4K029DC16
, 4K029DC35
, 4K029GA01
