熱電変換材料及び熱電変換モジュール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人藤央特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-094304
公開番号（公開出願番号）：特開2018-190906
出願日： 2017年05月10日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：

【課題】熱伝導率が低くかつ出力因子が高い、高温で安定した熱電変換材料及び熱電変換材料を用いた熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】熱電変換材料は、半導体から構成される母相を含み、母相の粒界には、第1粒界相及び第2粒界相が含まれ、第1粒界相は、共晶反応、共析反応、包晶反応、包析反応、偏晶反応、又は偏析反応によっては母相と化合物を形成しない材料から構成され、第2粒界相は、母相又は第1粒界相よりも抵抗が低い材料から構成され、第1粒界相の体積に対する第2粒界相の体積の比率が1よりも小さいことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン系化合物、カルコゲナイド系化合物、及びスクッテルダイト系化合物のいずれかの半導体から構成される母相を含み、前記母相の粒界には、第1粒界相及び第2粒界相が含まれ、前記第1粒界相は、共晶反応、共析反応、包晶反応、包析反応、偏晶反応、又は偏析反応によっては前記母相と化合物を形成しない材料から構成され、前記第2粒界相は、前記母相又は前記第1粒界相よりも抵抗が低い材料から構成され、前記第1粒界相の体積に対する前記第2粒界相の体積の比率が1よりも小さいことを特徴とする熱電変換材料。

IPC (5件)：

H01L 35/14 , H01L 35/26 , H01L 35/16 , H01L 35/32 , C01B 33/06

FI (5件)：

H01L35/14 , H01L35/26 , H01L35/16 , H01L35/32 A , C01B33/06

Fターム (7件)：

4G072AA20 , 4G072BB09 , 4G072FF06 , 4G072GG02 , 4G072RR11 , 4G072RR23 , 4G072UU30

引用特許：

審査官引用 (4件)

ナノ構造をもつ熱電材料における高い示性数のための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-539534 出願人：マサチユセツツ・インスチチユート・オブ・テクノロジイ, トラステイーズ・オブ・ボストン・カレツジ
熱電変換材料および熱電変換モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-174977 出願人：株式会社日立製作所
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公報種別：公開公報出願番号：特願2005-334557 出願人：高木清史

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