特許
J-GLOBAL ID：201803002288474166
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-187259
公開番号（公開出願番号）：特開2014-074713
特許番号：特許第6285671号
出願日： 2013年09月10日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一画素内に、表示素子と光検出回路とを有し、
前記光検出回路は、
光電変換素子と、
前記光電変換素子と電気的に接続された第1の信号出力回路と、
前記光電変換素子と電気的に接続された第2の信号出力回路と、
第1の配線と、を有し、
前記第1の信号出力回路及び前記第2の信号出力回路は、
前記光電変換素子への光の入射量に応じてゲート電位が変動し、前記ゲート電位に応じた信号を出力するトランジスタと、
前記光電変換素子と前記トランジスタとの間に電気的に接続され、前記ゲート電位を保持する第1のスイッチング素子と、
前記信号の出力制御を行う第2のスイッチング素子と、を各々有し、
前記第1の信号出力回路の前記第2のスイッチング素子のゲートと、前記第2の信号出力回路の前記第2のスイッチング素子のゲートとは、それぞれ異なる配線に電気的に接続され、
前記第1の信号出力回路の前記第2のスイッチング素子のソース及びドレインの一方の端子と、前記第2の信号出力回路の前記第2のスイッチング素子のソース及びドレインの一方の端子とは、前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第1の信号出力回路に保持される前記ゲート電位及び前記第2の信号出力回路に保持される前記ゲート電位は、各々が異なる期間における前記光電変換素子への光の入射量に基づく電位であり、
前記第1の信号出力回路及び前記第2の信号出力回路の各々に前記ゲート電位を保持した後に、前記第1の信号出力回路及び前記第2の信号出力回路の各々から前記ゲート電位に応じた前記信号を異なるタイミングで前記第1の配線に出力することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
G01J 1/44 ( 200 6.01)
, G01V 8/20 ( 200 6.01)
, H04N 5/32 ( 200 6.01)
, H04N 5/374 ( 201 1.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
, G01J 1/42 ( 200 6.01)
G01J 1/44 P
, G01V 8/20 Q
, H04N 5/32
, H04N 5/374 200
, H01L 27/146 C
, H01L 31/10 G
, G01J 1/42 N
