特許
J-GLOBAL ID：201803002292172824

ウエーハの加工方法

発明者：
川合 章仁

川合 章仁 について

, 
灰本 隆志

灰本 隆志 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (4件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子 ,  鹿角 剛二 ,  金子 吉文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-192974
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056459
出願日： 2016年09月30日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：
【課題】積層コストを抑制しながら積層デバイスの厚みを薄くすると共に、ゲッタリング効果を有する積層デバイスを形成するウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】マザーウエーハ10の表面に第1のSiウエーハ12の表面をフュージョンボンディングFによって接合する第1の接合工程と、接合された第1のSiウエーハ12の裏面12bを研削して薄化する薄化工程と、薄化された第1のSiウエーハの裏面に金属イオンを捕獲するゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、ゲッタリング層にSiO2層を被覆するSiO2層被覆工程と、SiO2層に鏡面加工を施す鏡面加工工程と、鏡面加工されたSiO2層に第2のSiウエーハ14の表面14aをフュージョンボンディングFによって接合する第2の接合工程と、を少なくとも含み構成される。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
交差する複数の分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成された表面を備えたSiウエーハをマザーウエーハに積層させるウエーハの加工方法であって、 マザーウエーハの表面に第1のSiウエーハの表面をフュージョンボンディングによって接合する第1の接合工程と、 接合された該第1のSiウエーハの裏面を研削して薄化する薄化工程と、 薄化された該第1のSiウエーハの裏面に金属イオンを捕獲するゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、 該ゲッタリング層にSiO2層を被覆するSiO2層被覆工程と、 該SiO2層に鏡面加工を施す鏡面加工工程と、 鏡面加工された該SiO2層に第2のSiウエーハの表面をフュージョンボンディングによって接合する第2の接合工程と、 を少なくとも含み構成されるウエーハの加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/304 ,  B24B 7/04 ,  H01L 21/02
FI (6件)：
H01L21/322 M ,  H01L21/304 621B ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 631 ,  B24B7/04 A ,  H01L21/02 B
Fターム (24件)：
3C043BA03 ,  3C043BA09 ,  3C043CC04 ,  3C043DD02 ,  3C043DD04 ,  3C043DD05 ,  5F057AA11 ,  5F057AA21 ,  5F057AA42 ,  5F057BA15 ,  5F057BA19 ,  5F057BA21 ,  5F057BB03 ,  5F057BB15 ,  5F057CA13 ,  5F057CA14 ,  5F057CA36 ,  5F057DA03 ,  5F057DA11 ,  5F057DA31 ,  5F057DA39 ,  5F057EB10 ,  5F057EC15 ,  5F057FA13
引用特許：
審査官引用 (3件)

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