特許
J-GLOBAL ID:201803002446791930
半導体ウェーハ用サポート治具及びその取扱方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
藤本 英介
, 神田 正義
, 宮尾 明茂
, 馬場 信幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-121766
公開番号(公開出願番号):特開2017-228568
出願日: 2016年06月20日
公開日(公表日): 2017年12月28日
要約:
【課題】ウェット処理時に薄い半導体ウェーハから剥離することが少なく、ウェット処理後に薄い半導体ウェーハを損傷しないよう簡単に剥離でき、しかも、繰り返し使用可能な半導体ウェーハ用サポート治具及びその取扱方法を提供する。【解決手段】メッキ液等でウェット処理される厚さ100μm以下の薄い半導体ウェーハ1に着脱自在に貼り合わされる半導体ウェーハ用サポート治具10であり、半導体ウェーハ1よりも大きい開口部12を有する平面略リング形の剛性支持フレーム層11と、この剛性支持フレーム層11の裏面に貼着されて開口部12を下方から被覆し、この開口部12内の半導体ウェーハ1を着脱自在に粘着支持する可撓性の粘着フィルム層13とを備え、この粘着フィルム層13の線膨張係数を5ppm/°C以下の低線膨張係数とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ウェット処理される厚さ100μm以下の半導体ウェーハに貼り合わされる半導体ウェーハ用サポート治具であって、
半導体ウェーハよりも大きい開口部を有するエンドレスの剛性支持フレーム層と、この剛性支持フレーム層に貼着されて開口部を被覆し、この開口部の半導体ウェーハに着脱自在に粘着する可撓性の粘着フィルム層とを含み、この粘着フィルム層の線膨張係数が5ppm/°C以下であることを特徴とする半導体ウェーハ用サポート治具。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/68 N
, H01L21/02 C
Fターム (9件):
5F131AA02
, 5F131BA35
, 5F131CA02
, 5F131CA09
, 5F131DA13
, 5F131EC32
, 5F131EC44
, 5F131EC53
, 5F131EC55
引用特許: