ガス軽減のための方法および装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：田中伸一郎 , 弟子丸健 , ▲吉▼田和彦 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之 , 上杉浩 , 近藤直樹 , 那須威夫 , 工藤嘉晃
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-523737
公開番号（公開出願番号）：特表2018-530893
出願日： 2016年05月12日
公開日（公表日）： 2018年10月18日
要約：

本明細書に開示された実施形態は、半導体プロセスで生成される化合物を軽減するためのプラズマ源、軽減システム、および真空処理システムを含む。一実施形態において、プラズマ源は、誘電体管と、この管を取り囲むコイルアンテナと、を含む。コイルアンテナは、複数の巻線を含み、少なくとも1つの巻線が短絡されている。コイルアンテナの1つまたは複数の巻線を選択的に短絡させることは、コイルアンテナのインダクタンスを低減させるのに役立ち、より多くの処理容積をカバーするコイルアンテナにより高い電力を供給することが可能になる。コイルアンテナへのより高い電力供給およびより大きな処理容積は、DREの改善につながる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

誘電体管と、前記誘電体管を取り囲むコイルアンテナであって、複数の巻線を備え、前記複数の巻線の少なくとも1つの巻線が短絡されている、コイルアンテナと、を備える、プラズマ源。

IPC (2件)：

H05H 1/46 , H01L 21/304

FI (2件)：

H05H1/46 L , H01L21/304 645C

Fターム (37件)：

2G084AA02 , 2G084AA03 , 2G084AA04 , 2G084AA08 , 2G084AA18 , 2G084BB02 , 2G084BB11 , 2G084BB23 , 2G084BB32 , 2G084CC04 , 2G084CC05 , 2G084CC13 , 2G084CC33 , 2G084DD03 , 2G084DD13 , 2G084DD14 , 2G084DD17 , 2G084DD22 , 2G084DD31 , 2G084DD33 , 2G084DD34 , 2G084DD65 , 2G084FF01 , 2G084FF02 , 2G084FF04 , 2G084FF18 , 2G084FF32 , 2G084FF38 , 5F004AA16 , 5F004BC08 , 5F004BD07 , 5F045BB20 , 5F045EG07 , 5F045EH11 , 5F157BG32 , 5F157BG72 , 5F157DB02

引用特許：

出願人引用 (3件)

マルチセクションRFコイルおよび隔離された導電性蓋を有するプラズマ・リアクター
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-181544 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
低い有効アンテナ電圧を持つプラズマ浸漬イオン源
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-551357 出願人：バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
プラズマ生成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-139200 出願人：大陽日酸株式会社

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