特許
J-GLOBAL ID:201803002589173030
光検出器
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-228112
公開番号(公開出願番号):特開2018-085454
出願日: 2016年11月24日
公開日(公表日): 2018年05月31日
要約:
【課題】Ge層での局所的な光集中を抑制してGe層で発生する熱を抑えることにより、高パワー入力を受けることができるGePDを提供すること。【解決手段】光検出器は、基板の上に形成され、光を伝搬する導波路とp型ドープ領域を含むスラブとを備えたコア層と、導波路とスラブとの間に形成される多モード干渉導波路と、スラブおよび多モード干渉導波路の上に形成され、p型ドーピングされたGe領域を含むGe層と、ドープ領域およびゲルマニウム領域にそれぞれ接続された電極とを含み、Ge層は、多モード干渉導波路によって拡散された光を吸収するように構成される。【選択図】図6
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板の上に形成され、光を伝搬する導波路層とp型またはn型のいずれかのドープ領域を含むスラブ層とを備えたコア層と、
前記導波路層と前記スラブ層との間に形成される多モード干渉導波路と、
前記スラブ層および前記多モード干渉導波路の上に形成され、n型またはp型のいずれかにドーピングされたゲルマニウム領域を含むゲルマニウム層と、
前記ドープ領域および前記ゲルマニウム領域にそれぞれ接続された電極と
を含み
前記ゲルマニウム層は、前記多モード干渉導波路によって拡散された前記光を吸収するように構成される
ことを特徴する光検出器。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L31/02 D
, G02B6/12 301
Fターム (16件):
2H147AB05
, 2H147BA01
, 2H147BE22
, 2H147DA08
, 2H147EA12D
, 2H147EA13A
, 2H147EA13C
, 2H147EA14B
, 2H147GA06
, 5F849AA02
, 5F849AB02
, 5F849BB01
, 5F849CB08
, 5F849DA06
, 5F849GA05
, 5F849JA14
引用特許:
審査官引用 (6件)
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光半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2015-021386
出願人:富士通株式会社, 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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受光素子および光受信モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-061843
出願人:富士通株式会社
-
半導体受光器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-221423
出願人:日本電気株式会社
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