特許

J-GLOBAL ID：201803002972857082

半導体素子、半導体素子パッケージ、およびこれを含む照明システム

発明者： チェ,チェフン ,  パク,へチン ,  チェ,ラクチョン ,  キム,ピョンチョ
出願人/特許権者： エルジー イノテック カンパニー リミテッド
代理人 (13件)： 小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝 ,  安藤 健司 ,  市川 英彦 ,  青木 孝博 ,  川嵜 洋祐 ,  五味渕 琢也 ,  今藤 敏和 ,  飯野 陽一 ,  市川 祐輔 ,  森山 正浩 ,  岩瀬 吉和
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-519445
公開番号（公開出願番号）：特表2018-530924
出願日： 2016年10月14日
公開日（公表日）： 2018年10月18日
要約：

実施例による半導体素子は、基板と、前記基板上に配置されるバッファー層と、前記バッファー層上に配置されて第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に配置されて紫外線光を放出する活性層を発光構造物と、前記バッファー層内に配置される複数のエアーボイドを含み、前記エアーボイドは2個以上の傾斜面を有するように形成され得る。

請求項（抜粋）：

基板; 前記基板上に配置されるバッファー層; 前記バッファー層上に配置されて第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に配置されて紫外線光を放出する活性層を発光構造物; 前記バッファー層内に配置される複数のエアーボイド;を含み 前記エアーボイドは2個以上の傾斜面を有する半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 33/02 ,  H01L 33/22 ,  H01L 33/48 ,  H01L 33/12

FI (4件)：

H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/48 ,  H01L33/12

Fターム (14件)：

5F142AA05 ,  5F142BA24 ,  5F142CA11 ,  5F142CB03 ,  5F142CC26 ,  5F142DB02 ,  5F142GA22 ,  5F142GA29 ,  5F142GA31 ,  5F241AA04 ,  5F241CA12 ,  5F241CB15 ,  5F241CB36 ,  5F241FF11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶成長方法および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-042479   出願人：学校法人立命館, シャープ株式会社
• 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-068703   出願人：スタンレー電気株式会社