特許
J-GLOBAL ID：201203051265117710
結晶成長方法および半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 酒本 裕明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-042479
公開番号（公開出願番号）：特開2012-031047
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】転位およびクラックの発生、並びに、基板の反りを抑制することが可能な結晶成長方法を提供する。【解決手段】このIII族窒化物半導体の結晶成長方法は、シリコン基板100を加熱する工程と、加熱されたシリコン基板100に対して、少なくともTMA(トリメチルアルミニウム)を含むガスを先出し供給することにより、基板表面に凹状構造105を形成する工程とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を加熱する工程と、
前記基板と反応する原料を前記基板に対して供給することにより、前記基板表面に凹状構造を形成する工程とを備えることを特徴とする、結晶成長方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38
, C30B 25/18
, C23C 16/34
, H01L 33/32
, H01L 21/205
C30B29/38 D
, C30B25/18
, C23C16/34
, H01L33/00 186
, H01L21/205
4G077AA03
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DB08
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE03
, 4G077EF03
, 4G077HA02
, 4G077TA04
, 4G077TB05
, 4G077TC12
, 4G077TK04
, 4G077TK06
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030CA04
, 4K030CA17
, 4K030DA02
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030JA10
, 4K030LA14
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AF03
, 5F045AF12
, 5F045AF13
, 5F045BB08
, 5F045BB11
, 5F045BB12
, 5F045BB13
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F045EB15
, 5F045HA03
, 5F141AA40
, 5F141CA05
, 5F141CA33
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA74
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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