特許
J-GLOBAL ID：201803003213437946

自立基板の製造方法

発明者：
篠原 政幸

篠原 政幸 について

, 
秋山 智弘

秋山 智弘 について

, 
川原 実

川原 実 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (2件)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-125328
公開番号（公開出願番号）：特開2017-226584
出願日： 2016年06月24日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：
【課題】簡便なプロセスにより下地基板からの剥離を容易にでき、比較的結晶性のよい窒化物半導体自立基板を低コストで製造することができる自立基板の製造方法の提供。【解決手段】好ましくはサファイアからなる基板1上に400〜600°Cの成長温度で窒化物半導体層からなる低温バッファ層2をエピタキシャル成長させた後、低温バッファ層2の上に低温バッファ層2の成長温度よりも高温で、基板1の厚さに対して0.5〜1.40倍の厚さを有する窒化物半導体層3をエピタキシャル成長させ、その後、基板1を冷却速度を15〜100°C/minで冷却することにより、窒化物半導体層3を基板1から剥離させる自立基板4の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる自立基板を製造する自立基板の製造方法であって、 基板上に400〜600°Cの成長温度で窒化物半導体層からなる低温バッファ層をエピタキシャル成長させた後、前記低温バッファ層の上に前記低温バッファ層の成長温度よりも高温で窒化物半導体層を前記基板の厚さに対して0.5〜1.40倍の厚さでエピタキシャル成長させ、その後、前記基板の冷却を行うことで、前記高温で成長させた窒化物半導体層を前記基板から剥離させることを特徴とする自立基板の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
Fターム (36件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA53 ,  5F045EJ00
引用特許：
審査官引用 (3件)

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