特許
J-GLOBAL ID：201103074543394618

窒化物半導体自立基板の製造方法

発明者：
安富 敬三

安富 敬三 について

, 
川原 実

川原 実 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-177785
公開番号（公開出願番号）：特開2011-032113
出願日： 2009年07月30日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】基材上にエピタキシャル成長させた窒化物半導体層を剥離する窒化物半導体自立基板の製造において、成長させた窒化物半導体層を簡易な方法で容易に剥離させることができ、欠陥の少ない高品質の窒化物半導体自立基板を製造することができる方法を提供する。【解決手段】好ましくは400μm以上の厚さを有し、少なくとも、表面に凹凸11を形成した、サファイア、Si、SiCのいずれかを材質とする基材10を準備し、前記基材10の凹凸11が形成された表面上に窒化物半導体層12を前記基材厚以上の厚さでエピタキシャル成長させた後、前記基材10から剥離させることにより窒化物半導体自立基板13を製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体自立基板を製造する方法であって、少なくとも、表面に凹凸を形成した基材を準備して、該準備した基材の凹凸が形成された表面上に窒化物半導体層を前記基材厚以上の厚さでエピタキシャル成長させて、該成長させた窒化物半導体層を前記基材から剥離させることにより窒化物半導体自立基板を製造することを特徴とする窒化物半導体自立基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/01 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/01 ,  H01L21/205
Fターム (37件)：
4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC11 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF09 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045GH08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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