特許
J-GLOBAL ID：201303044454698547
自立基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人前田特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-039485
公開番号（公開出願番号）：特開2013-173652
出願日： 2012年02月27日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】厚さの厚い自立基板が得られ、しかも、ベース基板に残留するIII-V族化合物半導体の無駄を抑制することができる自立基板の製造方法を提供する。【解決手段】自立基板の製造方法は、ベース基板10上に、ベース基板10とは熱膨張係数が相異するIII-V族化合物半導体を層状に結晶成長させ、その後、冷却によりそれらの熱膨張係数の相異に基づいてIII-V族化合物半導体の層20内に横方向に断裂を生じさせ、そして、それによってベース基板10から分離したIII-V族化合物半導体の層20の部分21を自立基板として回収するものである。ベース基板10上に結晶成長させるIII-V族化合物半導体の層20の厚さを、ベース基板10の厚さの1.5倍以上とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ベース基板上に、該ベース基板とは熱膨張係数が相異するIII-V族化合物半導体を層状に結晶成長させ、その後、冷却によりそれらの熱膨張係数の相異に基づいて該III-V族化合物半導体の層内に横方向に断裂を生じさせ、そして、それによって該ベース基板から分離した該III-V族化合物半導体の層の部分を自立基板として回収する自立基板の製造方法であって、
上記ベース基板上に結晶成長させる上記III-V族化合物半導体の層の厚さを、該ベース基板の厚さの1.5倍以上とする自立基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB10
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
