特許

J-GLOBAL ID：201803003250423289

レジスト下層膜形成用樹脂組成物、レジスト下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法

発明者： 元成 正之 ,  滝本 嘉夫 ,  溝口 勝久 ,  松村 裕史 ,  中藤 慎也 ,  香村 和彦 ,  村上 暁
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (1件)： 天野 一規
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-525853
特許番号：特許第6281490号
出願日： 2013年07月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 芳香環を含む樹脂と、架橋剤とを含有し、 上記架橋剤が、下記式(b2)で表される化合物であるレジスト下層膜形成用樹脂組成物。 (式(b2)中、 Xは、カルボニル基又はスルホニル基である。 Qは、1価の複素芳香族基又は-OR1である。R1は、下記式(ii)〜(iv)のいずれかで表される炭素数1〜30の1価の有機基である。 Ar3は、(n6+n7)価の芳香族炭化水素基又は(n6+n7)価の複素芳香族基である。 R2は、ヒドロキシ基又は置換若しくは非置換の炭素数1〜30の1価の炭化水素基である。 n6は、2〜8の整数である。n7は、0〜6の整数である。但し、n6+n7は、8以下である。 R2が複数の場合、複数のR2は同一でも異なっていてもよい。複数のX及びQは同一でも異なっていてもよい。) (式(ii)中、R5及びR6は、それぞれ独立して、炭素数1〜20の1価の有機基である。但し、上記R5とR6とが互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に環構造を形成してもよい。) (式(iii)中、R7及びR8は、それぞれ独立して、炭素数1〜20の1価の有機基である。但し、上記R7とR8とが互いに結合して、それらが結合している窒素原子と共に環構造を形成してもよい。) (式(iv)中、R9は、少なくとも一部の水素原子がハロゲン原子、ニトロ基及びシアノ基のうち少なくとも1つで置換された炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。)

IPC (5件)：

G03F 7/11 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  C07C 69/76 ( 200 6.01) ,  C07C 251/68 ( 200 6.01) ,  C08G 8/10 ( 200 6.01)

FI (7件)：

G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 574 ,  C07C 69/76 CSP Z ,  C07C 69/76 A ,  C07C 251/68 ,  C08G 8/10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ビニルエーテル架橋剤を使用した反射防止膜
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-552775   出願人：ブルーワーサイエンスアイエヌシー.
• レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、および組成物、レジスト下層膜形成材料用添加剤、架橋剤並びにレジスト下層膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-033159   出願人：JSR株式会社
• 耐熱性樹脂前駆体、耐熱性樹脂及び絶縁膜並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-401349   出願人：住友ベークライト株式会社