特許
J-GLOBAL ID：201803003384704292
最適化された性能及び利得を有する電界効果トランジスタ
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-522143
公開番号（公開出願番号）：特表2018-536285
出願日： 2016年10月27日
公開日（公表日）： 2018年12月06日
要約：
発明は、特に、バッファ層(12)を2つの部分(12a;12b)に分割する特定の厚さの思慮深く載置された第1の副層(16)を備え、第3の半導体(Mat3)を備え、その結果、バッファ層の半導体及び第3の半導体(Mat3)の圧電及び自発分極係数の間の差は、バッファ層の第1の部分(12a)と第1の副層(16)との間の第1の界面(17)において、二次元ガス(9)がチャネルに限定されるように、z軸に沿って向けられる電界を生成する第1の固定表面電荷を誘導する半導体スタックを備えるトランジスタに関する。
請求項（抜粋）：
z軸に沿ったスタック(Emp)を備える電界効果トランジスタであって、
-第1の半導体(Mat1)を備えるバリア層(13)と、
-前記バリア層(13)とバッファ層(12)との間のヘテロ接合(15)と、
-前記z軸と垂直に位置するxy平面内及び前記ヘテロ接合(15)の近傍に位置するチャネルに対して制限される二次元ガス(9)と、
-AlxGa(1-x)Nを備える第2の半導体(Mat2)を備える前記バッファ層(12)であって、xは前記バッファ層(12)のアルミニウム含有量である、前記バッファ層(12)と、を備え、
前記スタックは、更に、前記バッファ層(12)を2つの部分(12a;12b)に分割する第1の副層(16)を備え、Alx1Ga(1-x1)Nを備える第3の半導体(Mat3)を備え、x1はx+15%よりも高く、x1は前記副層(16)の前記アルミニウム含有量であり、その結果、前記第2の半導体(Mat2)及び前記第3の半導体(Mat3)の圧電及び自発分極係数の間の差は、前記バッファ層の前記第1の部分(12a)と前記第1の副層(16)との間の第1の界面(17)において、前記二次元ガス(9)が前記チャネルに限定されるように、前記z軸に沿って向けられ、前記第1の界面(17)に向かう電界を生成する第1の固定表面電荷(Q1)を誘導し、前記ヘテロ接合(15)と、前記バッファ層の前記第1の部分(12a)と前記第1の副層(16)との間に位置する前記第1の界面(17)との間の距離は、前記トランジスタの前記スタックの方向Ozと垂直な方向Oxにおける前記ゲートの長さ(Lg)の3分の1と前記ゲート長さ(Lg)の2倍との間を備えることを特徴とする、
電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GD10
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GR07
