窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 鶴田準一 , 南山知広 , 河合章 , 中村健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-206289
公開番号（公開出願番号）：特開2015-135946
出願日： 2014年10月07日
公開日（公表日）： 2015年07月27日
要約：

【課題】ヘテロ接合構造のHFET素子の製造時に発生するリーク電流の増加と降伏電圧の減少を最小限に抑えるために、積層方向に従ってAl組成が変化するAlGaN多重層及びSixNy層を備える窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態による半導体素子は、バッファ層110と、バッファ層110上に形成されたAlGaN多重層120と、AlGaN多重層120上に形成されたGaNチャネル層130と、GaNチャネル層130上に形成されたAlGaN障壁層140とを含み、AlGaN多重層120のAl組成は、AlGaN多重層120の積層方向に従って変化する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

バッファ層と、前記バッファ層上に形成されたAlGaN多重層と、前記AlGaN多重層上に形成されたGaNチャネル層と、前記GaNチャネル層上に形成されたAlGaN障壁層とを含み、前記AlGaN多重層のAl組成は、前記AlGaN多重層の積層方向に従って変化することを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L21/205

Fターム (31件)：

5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DA57 , 5F045DA58 , 5F045DA59 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GV08 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-163838 出願人：サンケン電気株式会社
窒化物半導体エピタキシャルウエハ及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-062442 出願人：日立電線株式会社
エンハンスメントモードIII-窒化物デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-255221 出願人：アイメック

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