特許
J-GLOBAL ID：201803003890220139

表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

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津吹 将志

津吹 将志 について

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秋元 健吾

秋元 健吾 について

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細羽 みゆき

細羽 みゆき について

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坂倉 真之

坂倉 真之 について

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及川 欣聡

及川 欣聡 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-097771
公開番号（公開出願番号）：特開2018-133592
出願日： 2018年05月22日
公開日（公表日）： 2018年08月23日
要約：
【課題】同一基板上の画素回路及び駆動回路を該回路の特性にそれぞれ合わせた構造の異なるトランジスタで形成し、表示特性の優れた表示装置を提供する。【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路部を有し、該駆動回路部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が金属膜によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用トランジスタを有する。また、当該画素部は、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され、且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用トランジスタを有する。該画素用トランジスタは透光性を有する材料で形成されており、高開口率の表示装置を作製することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ゲート電極層と、 ゲート絶縁層と、 酸化物半導体層と、 ソース電極層及びドレイン電極層と、 酸化物絶縁層と、を有し、 前記酸化物半導体層は、前記ソース電極層と接する第1の領域と、前記ドレイン電極層と接する第2の領域と、を有し、 前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、金属であり、 前記酸化物絶縁層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、 前記第1の領域は、前記第1の領域の酸素の前記ソース電極層への移動によりn型化されている領域を有し、 前記第2の領域は、前記第2の領域の酸素の前記ドレイン電極層への移動によりn型化されている領域を有し、 前記ソース電極層の前記第1の領域に接する領域は、前記金属の酸化物が形成され、 前記ドレイン電極層の前記第2の領域に接する領域は、前記金属の酸化物が形成されていることを特徴点とする表示装置。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (2件)：
H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618B
Fターム (60件)：
5F110AA02 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110HM19 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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