特許

J-GLOBAL ID：200903063530719283

薄膜トランジスタ及びその製法

発明者： 平尾 孝 ,  古田 守 ,  古田 寛 ,  松田 時宜 ,  平松 孝浩
出願人/特許権者： 財団法人高知県産業振興センター ,  カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 清原 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-038428
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220819
出願日： 2006年02月15日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】 ソース・ドレイン電極と酸化物半導体薄膜層のコンタクト性を向上させ、薄膜トランジスタの電流駆動能力を向上させることを解決課題とする。また、トップゲート型構造において、ソース・ドレイン電極からチャネルに至るまでの酸化物半導体薄膜層の膜厚方向の抵抗を抑え、電流律速を抑制することも解決課題とする。【解決手段】 基板上に間隔を有して形成されるソース・ドレイン電極と、該ソース・ドレイン電極の間隙及び表面にチャネルとして形成される酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする酸化物半導体薄膜層を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、該ソース・ドレイン電極の少なくとも一部が、表面の還元された導電性酸化物であり、該ソース・ドレイン電極の内側端部が該ゲート電極の両端部より内側に位置することを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に間隙を有して形成されるソース・ドレイン電極と、該ソース・ドレイン電極の間隙及び各ソース・ドレイン電極の表面にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、前記各ソース・ドレイン電極の少なくとも一部が、表面の還元された導電性酸化物であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (6件)：

H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M

Fターム (43件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD86 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK42 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-096983   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (1件)

• 電子素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-083094   出願人：ソニー株式会社