特許

J-GLOBAL ID：200903087275783297

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 姜 東 勳 ,  ゲンリフ,ステファノヴィッチ ,  宋 利 憲 ,  朴 永 洙 ,  金 昌 ▲ジュン▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-042575
公開番号（公開出願番号）：特開2008-219008
出願日： 2008年02月25日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート、チャンネル層、ソース及びドレインを備える薄膜トランジスタにおいて、ソース及びドレインは金属からなり、チャンネル層とソース及びドレインとの間に金属酸化物層が備えられたことを特徴とする薄膜トランジスタ。金属酸化物層は、層内に金属含有量勾配を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ゲート、チャンネル層、ソース及びドレインを備える薄膜トランジスタであって、 前記ソース及びドレインは金属からなり、 前記チャンネル層と前記ソース及びドレインとの間に金属酸化物層が備えられたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B

Fターム (19件)：

5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110GG04 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-028001   出願人：キヤノン株式会社
• 亜鉛酸化物の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-094319   出願人：カシオ計算機株式会社
• アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-226698   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-102928   出願人：住友重機械工業株式会社