特許

J-GLOBAL ID：201803004097982954

液晶表示装置

発明者： 木村 肇 ,  梅崎 敦司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-149861
公開番号（公開出願番号）：特開2018-189987
出願日： 2018年08月09日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：

【課題】正確な表示を行う表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】オフ電流の低い酸化物半導体を有するトランジスタを用いて、回路を構成する。回路として、画素回路の他に、プリチャージ回路または検査回路を形成する。酸化物半導体を用いているため、オフ電流が低く、そのため、プリチャージ回路や検査回路において、信号や電圧が漏れて、表示に不具合を起こすという可能性が低い。その結果、正確な表示を行う表示装置を提供することが出来る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

画素部と、検査をする機能を有する回路と、を有し、 前記画素部は、一の色の表示に対応する第1の画素と、前記一の色の表示に対応する第2の画素と、を有し、 前記第1の画素は、第1のトランジスタと、第1の液晶素子と、を有し、 前記第2の画素は、第2のトランジスタと、第2の液晶素子と、を有し、 前記第1のトランジスタは、前記第1の液晶素子に第1の信号線の電位を供給する機能を有し、 前記第2のトランジスタは、前記第2の液晶素子に第2の信号線の電位を供給する機能を有し、 前記回路は、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、 前記第3のトランジスタのゲートと、前記第4のトランジスタのゲートとは、互いに電気的に接続され、 前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の信号線と電気的に接続され、 前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2の信号線と電気的に接続され、 前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方とは、互いに異なる配線に電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのチャネルと、前記第2のトランジスタのチャネルと、前記第3のトランジスタのチャネルと、前記第4のトランジスタのチャネルとは、酸化物半導体を有し、 前記酸化物半導体は、In、Ga、及びZnを主成分として有し、 前記第3のトランジスタは、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、 前記酸化物半導体層上、前記ソース電極層上、及び前記ドレイン電極層上に酸化物絶縁層が位置し、 前記酸化物絶縁層上に窒化珪素膜が位置し、 前記酸化物絶縁層は、前記第3のトランジスタのチャネルと接する領域を有し、 前記第3のトランジスタのチャネル幅は、前記第1のトランジスタのチャネル幅より大きい液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B

Fターム (61件)：

2H192AA24 ,  2H192CB05 ,  2H192CB12 ,  2H192CB37 ,  2H192DA12 ,  2H192EA74 ,  2H192FB05 ,  2H192GD61 ,  2H192HB04 ,  2H192HB13 ,  2H192HB23 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

• アクティブマトリクス基板の検査方法,アクティブマトリクス基板,液晶装置および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-029568   出願人：セイコーエプソン株式会社
• アクティブ・マトリックス表示装置、及び、その検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-070203   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-313579   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262991   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• アクティブマトリクス型液晶表示パネル及びその検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072641   出願人：シャープ株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-025388   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所