半導体積層物の観察方法、観察装置、観察プログラム、および、半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：福岡昌浩 , 橘高英郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-166156
公開番号（公開出願番号）：特開2018-032829
出願日： 2016年08月26日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
要約：

【課題】半導体積層物の表面におけるモホロジを調べるための技術を提供する。【解決手段】半導体積層物の観察方法は、第1導電型を有する第1半導体層、および、第1半導体層の上方に成長され、第2導電型を有し、第1半導体層とpn接合を構成する第2半導体層を有する半導体積層物と、第1半導体層上に配置された第1電極と、第2半導体層上に配置された第2電極と、を有する構造体について、第2半導体層の第2電極との界面を構成する表面のモホロジを取得する工程S11と、第1電極と前記第2電極との間への順方向電圧印加によりpn接合から放出されたエレクトロルミネッセンス光の強度の面内分布を取得する工程S12と、モホロジとエレクトロルミネッセンス光の強度の面内分布とを比較する工程S13と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型を有する第1半導体層、および、前記第1半導体層の上方に成長され、第2導電型を有し、前記第1半導体層とpn接合を構成する第2半導体層を有する半導体積層物と、前記第1半導体層上に配置された第1電極と、前記第2半導体層上に配置された第2電極と、を有する構造体について、前記第2半導体層の第2電極との界面を構成する表面のモホロジを取得する工程と、前記第1電極と前記第2電極との間への順方向電圧印加により前記pn接合から放出されたエレクトロルミネッセンス光の強度の面内分布を取得する工程と、前記モホロジと前記エレクトロルミネッセンス光の強度の面内分布とを比較する工程と、を有する半導体積層物の観察方法。

IPC (8件)：

H01L 21/66 , G01N 21/66 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 29/20 , H01L 21/329 , H01L 33/42 , H01L 33/00

FI (8件)：

H01L21/66 L , G01N21/66 , H01L29/91 F , H01L29/91 C , H01L29/20 , H01L29/91 A , H01L33/42 , H01L33/00 K

Fターム (26件)：

2G043AA03 , 2G043BA07 , 2G043CA05 , 2G043EA06 , 2G043FA02 , 2G043GA07 , 2G043GB28 , 2G043KA02 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106AB11 , 4M106CA18 , 4M106CA24 , 4M106DJ15 , 4M106DJ18 , 5F241AA46 , 5F241CA22 , 5F241CA40 , 5F241CA49 , 5F241CA57 , 5F241CA65 , 5F241CA66 , 5F241CA88 , 5F241CA92 , 5F241CB05 , 5F241CB15

引用特許：

審査官引用 (2件)

太陽電池の検査装置及び太陽電池の欠陥判定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-171925 出願人：日清紡ホールディングス株式会社
半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-243330 出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (2件)

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