半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-134165
公開番号（公開出願番号）：特開2018-190996
出願日： 2018年07月17日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：

【課題】基板の大型化に対応し得る金属配線の作製方法を提供する。【解決手段】絶縁表面11上に少なくとも一層の導電膜12、13を形成し、導電膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ICP電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

半導体層と、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、半導体層と、一対の電極と、画素電極と、を有し、前記ゲート電極層が有する端部は、テーパー形状を有し、前記半導体層は、前記一対の電極と接する領域を有し、前記一対の電極のうち一方は、前記画素電極と電気的に接続される、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 29/41 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/283 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/306

FI (10件)：

H01L29/44 S , H01L29/58 G , H01L21/283 B , H01L21/88 F , H01L21/88 Z , H01L29/78 613Z , H01L29/78 617K , H01L29/78 617S , H01L27/092 D , H01L21/302 105A

Fターム (134件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB28 , 4M104BB32 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104EE03 , 4M104FF08 , 4M104FF18 , 4M104GG04 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F004AA09 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004CA04 , 5F004CA06 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA26 , 5F004DB10 , 5F004DB12 , 5F004EA28 , 5F004EA37 , 5F004EB02 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH22 , 5F033HH32 , 5F033MM19 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ12 , 5F033RR04 , 5F033SS08 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX00 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG12 , 5F048DA25 , 5F110AA08 , 5F110AA19 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HJ30 , 5F110HL02 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-221386 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-007311 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-329698 出願人：株式会社東芝

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