半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-232448
公開番号（公開出願番号）：特開2015-095489
特許番号：特許第6242665号
出願日： 2013年11月08日
公開日（公表日）： 2015年05月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】配線を備えた支持体と、前記支持体上にフェイスダウン状態で積層された第1半導体チップと、前記第1半導体チップ上に第1非導電性接着層を介して積層された中継基板と、前記中継基板上に第2非導電性接着層を介してフェイスアップ状態で積層された第2半導体チップと、を有し、前記中継基板は、樹脂で形成された基体と、前記基体の前記第1半導体チップ側に形成された導体層である第1導電部と、前記第1導電部と電気的に接続された第1突起電極と、前記基体の前記第2半導体チップ側に形成された導体層である第2導電部と、前記第2導電部と電気的に接続された第2突起電極と、を備え、前記第1導電部と前記第2導電部とは、前記基体に形成された貫通電極を介して電気的に接続され、前記第2導電部は、前記中継基板の前記第2半導体チップと対向する面側に接続された金属線を介して前記支持体上の配線と電気的に接続され、前記第1突起電極は、前記第1非導電性接着層を貫通して前記第1半導体チップの非回路形成面と接して導通し、前記第2突起電極は、前記第2非導電性接着層を貫通して前記第2半導体チップの非回路形成面と接して導通している半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/065 ( 200 6.01) , H01L 25/07 ( 200 6.01) , H01L 25/18 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 25/08 H

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-071908 出願人：新光電気工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-252411 出願人：セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-185929 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-071908 出願人：新光電気工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-252411 出願人：セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-185929 出願人：ソニー株式会社

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