特許
J-GLOBAL ID:201803004670630200
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-032006
公開番号(公開出願番号):特開2018-125059
出願日: 2018年02月26日
公開日(公表日): 2018年08月09日
要約:
【課題】電源電圧の供給を停止してもデータの保持が可能である半導体装置、その作製方法、又はその駆動方法を提供することを目的の一とする。【解決手段】第1の回路部に保持されたデータを第2の回路部に送信し、電源電圧の供給を停止している期間において該データを第2の回路部に保持しておき、再び電源電圧を供給した際に該データに基づくデータを第1の回路部に送信する。このような構成により、半導体装置は、電源電圧の供給を停止している間においてもデータを保持することが可能である。特に、第2の回路部は、酸化物半導体を有するトランジスタを備えていることで、データを正確に保持することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の回路部と、第2の回路部と、を有し、
前記第1の回路部は、第1のノードと、第2のノードと、を有し、
前記第2の回路部は、第1のトランジスタ乃至第4のトランジスタと、第1の容量素子と第2の容量素子と、を有し、
前記第1のノードは、前記第1のトランジスタを介して、前記第2のトランジスタのゲート及び前記第1の容量素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のノードは、前記第3のトランジスタを介して、前記第4のトランジスタのゲート及び前記第2の容量素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のノードと電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のノードと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件):
G11C 14/00
, H03K 3/356
, H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 29/786
, H01L 27/06
FI (9件):
G11C14/00 200
, H03K3/356 Z
, H01L27/088 E
, H01L27/088 331E
, H01L27/04 D
, H01L29/78 613Z
, H01L29/78 618B
, H01L27/06 102A
, H01L27/04 C
Fターム (130件):
5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038CA16
, 5F038CD02
, 5F038CD09
, 5F038CD16
, 5F038CD18
, 5F038DF05
, 5F038EZ06
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
, 5F048AA01
, 5F048AB01
, 5F048AB04
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048AC10
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BA19
, 5F048BA20
, 5F048BB02
, 5F048BB03
, 5F048BB06
, 5F048BB08
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F048BB14
, 5F048BC06
, 5F048BC18
, 5F048BD01
, 5F048BD06
, 5F048BD10
, 5F048BF02
, 5F048BF07
, 5F048BF12
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F048BG12
, 5F048BG13
, 5F048CB01
, 5F048CB03
, 5F048CB04
, 5F048DA30
, 5F110AA01
, 5F110AA03
, 5F110AA04
, 5F110AA06
, 5F110BB04
, 5F110BB05
, 5F110BB11
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD07
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE14
, 5F110EE30
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF04
, 5F110FF05
, 5F110FF28
, 5F110FF36
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG07
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG17
, 5F110GG19
, 5F110GG22
, 5F110GG25
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG35
, 5F110GG43
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK41
, 5F110HK42
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN25
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN72
, 5F110NN74
, 5F110NN78
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP10
, 5F110PP13
, 5F110PP35
, 5F110QQ02
, 5F110QQ05
, 5F110QQ09
, 5F110QQ19
, 5J034AB15
, 5J034CB01
, 5J034CB02
, 5J034DB01
引用特許:
出願人引用 (4件)
-
信号処理回路及びその駆動方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-180388
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
記憶素子、信号処理回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-026860
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
信号処理回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-105115
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置、及びその駆動方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-226185
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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審査官引用 (5件)
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