特許
J-GLOBAL ID:201303025339244350
記憶素子、信号処理回路
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-026860
公開番号(公開出願番号):特開2012-256404
出願日: 2012年02月10日
公開日(公表日): 2012年12月27日
要約:
【課題】新たな構成の不揮発性の記憶素子、それを用いた信号処理回路を提供する。【解決手段】第1の回路と第2の回路とを有し、第1の回路は第1のトランジスタと第2のトランジスタとを有し、第2の回路は第3のトランジスタと第4のトランジスタとを有する。第1の信号に対応する信号電位は、オン状態とした第1のトランジスタを介して第2のトランジスタのゲートに入力され、第2の信号に対応する信号電位は、オン状態とした第3のトランジスタを介して第4のトランジスタのゲートに入力される。その後、第1のトランジスタ及び第3のトランジスタをオフ状態とする。第2のトランジスタの状態と第4のトランジスタの状態との両方を用いて、第1の信号を読み出す。第1のトランジスタ及び第3のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタとする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の回路と第2の回路とを有し、
前記第1の回路は第1のトランジスタと第2のトランジスタとを有し、
前記第2の回路は第3のトランジスタと第4のトランジスタとを有し、
第1の信号に対応する信号電位を、オン状態とした前記第1のトランジスタを介して前記第2のトランジスタのゲートに入力し、
第2の信号に対応する信号電位を、オン状態とした前記第3のトランジスタを介して前記第4のトランジスタのゲートに入力し、
前記第1のトランジスタをオフ状態とすることによって、前記第1の回路は前記第1の信号に対応する信号電位を前記第2のトランジスタのゲートに保持し、前記第3のトランジスタをオフ状態とすることによって、前記第2の回路は前記第2の信号に対応する信号電位を前記第4のトランジスタのゲートに保持し、
前記第2のトランジスタの状態と前記第4のトランジスタの状態の両方を用いて、前記第1の信号または前記第2の信号を読み出し、
前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタであることを特徴とする記憶素子。
IPC (11件):
G11C 14/00
, H01L 21/824
, H01L 27/108
, H01L 27/115
, H01L 27/105
, H01L 27/10
, H01L 21/336
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 29/786
, C23C 14/08
FI (9件):
G11C11/34 352A
, H01L27/10 321
, H01L27/10 434
, H01L27/10 441
, H01L27/10 481
, H01L29/78 371
, H01L29/78 613B
, H01L29/78 618B
, C23C14/08 K
Fターム (173件):
4K029AA06
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA50
, 4K029BD01
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC34
, 5F083AD02
, 5F083AD21
, 5F083AD69
, 5F083EP02
, 5F083EP22
, 5F083GA05
, 5F083GA06
, 5F083GA11
, 5F083GA27
, 5F083HA02
, 5F083JA02
, 5F083JA03
, 5F083JA04
, 5F083JA05
, 5F083JA06
, 5F083JA12
, 5F083JA19
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA42
, 5F083JA53
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083LA03
, 5F083LA10
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083PR05
, 5F083PR22
, 5F083PR33
, 5F083PR34
, 5F083PR40
, 5F083ZA01
, 5F101BA17
, 5F101BB02
, 5F101BC20
, 5F101BD30
, 5F101BE02
, 5F101BE05
, 5F101BF02
, 5F101BF09
, 5F101BH15
, 5F101BH16
, 5F101BH21
, 5F110AA14
, 5F110BB05
, 5F110CC01
, 5F110CC02
, 5F110CC05
, 5F110CC06
, 5F110DD01
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, 5F110DD07
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE02
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, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE09
, 5F110EE11
, 5F110EE14
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, 5F110GG35
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ13
, 5F110HJ22
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK17
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK42
, 5F110HL01
, 5F110HL02
, 5F110HL03
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, 5F110HL22
, 5F110HL24
, 5F110HM07
, 5F110HM14
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, 5F110NN03
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, 5F110NN22
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, 5F110NN72
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
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, 5F110QQ02
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
, 5F110QQ19
, 5M024AA06
, 5M024AA94
, 5M024BB02
, 5M024HH01
, 5M024HH11
, 5M024PP01
, 5M024PP02
, 5M024PP03
, 5M024PP04
, 5M024PP05
, 5M024PP07
, 5M024PP08
, 5M024PP09
引用特許:
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