特許
J-GLOBAL ID：201803004724127500

半導体装置

発明者：
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について

, 
佐々木 俊成

佐々木 俊成 について

, 
野田 耕生

野田 耕生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-088038
公開番号（公開出願番号）：特開2018-117162
出願日： 2018年05月01日
公開日（公表日）： 2018年07月26日
要約：
【課題】短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい、チャネル領域に酸化物半導体を含むトランジスタを用いた半導体装置を作製する。【解決手段】窒素を含む一対の酸窒化物半導体領域、および該一対の酸窒化物半導体領域に挟まれる酸化物半導体領域を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極とを有する半導体装置。ここで、一対の酸窒化物半導体領域はトランジスタのソース領域およびドレイン領域となり、酸化物半導体領域はトランジスタのチャネル領域となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒素を含む一対の酸窒化物半導体領域、および前記一対の酸窒化物半導体領域に挟まれる酸化物半導体領域を有する酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と少なくとも一部が接するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体領域と重畳して設けられるゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (2件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B
Fターム (61件)：
5F110AA02 ,  5F110AA03 ,  5F110AA04 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC04 ,  5F110CC06 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN37 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (3件)

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