特許
J-GLOBAL ID：201003018288078010

電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者：
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について

, 
板垣 奈穂

板垣 奈穂 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 桂田 健志 ,  白洲 一新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-261878
公開番号（公開出願番号）：特開2010-093070
出願日： 2008年10月08日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：
【課題】アモルファス酸化物を用いた薄膜トランジスタが、近紫外光がチャンネルに入射することで、TFTのトランジスタ特性(Id-Vg特性)が変動する場合に、TFT特性のばらつきを防止する、迷光の照射に伴う特性変動が小さい、酸化物からなる半導体膜をチャンネルに適用した電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体からなるチャンネル層11とオキシナイトライドからなるソース電極13及びドレイン電極14を有している。これにより、ソース電極13、ドレイン電極14から近紫外光がチャンネル層11に入りこむことがないため、光に対して比較的安定なTFTを実現できる。さらに、チャンネル層11とソース電極13、ドレイン電極14との間で、安定な電気接続が可能となり、素子の均一性、信頼性が向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャンネルと、前記チャンネルに電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極とを有する電界効果型トランジスタであって、 前記チャンネルは酸化物半導体からなり、 前記ソース電極またはドレイン電極はオキシナイトライドからなることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (5件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M
Fターム (54件)：
4M104AA06 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104DD55 ,  4M104DD68 ,  4M104DD73 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 国際公開第2005/088726号パンフレット
審査官引用 (3件)

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