スピン軌道相互作用の増大方法およびスピンデバイス

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出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山川茂樹 , 小池勇三 , 山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-076621
公開番号（公開出願番号）：特開2018-181975
出願日： 2017年04月07日
公開日（公表日）： 2018年11月15日
要約：

【課題】より低コストで実用化できるスピンデバイスを提供する。【解決手段】Cuからなる金属材料層に窒素を添加して金属材料層のスピン軌道相互作用を増大させる。Cuは、スピン軌道相互作用が弱い材料であり、スピンデバイスに適用できない材料である。これに対し、銅の薄膜(金属材料層)に対し、窒素を不純物として添加することで、スピン軌道相互作用が増大し、スピンデバイスに適用可能となる。安価な材料であるCuおよび窒素により、スピン軌道相互作用の強さを白金などの希少金属と同程度にすることができ、これら高価な材料系を安価な材料で代替することが可能となり、スピンデバイスのコスト削減につながる。スピン注入磁気メモリは、スピン注入層(窒素を添加した金属材料層)101と、スピン注入層101の上に形成された強磁性体からなる自由層102とを備える。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

金属からなる金属材料層に窒素を添加して前記金属材料層のスピン軌道相互作用を増大させることを特徴とするスピン軌道相互作用の増大方法。

IPC (4件)：

H01L 29/82 , H01L 43/08 , H01L 21/823 , H01L 27/105

FI (3件)：

H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L27/105 447

Fターム (14件)：

4M119BB01 , 4M119CC10 , 4M119DD42 , 4M119EE02 , 5F092AB06 , 5F092AC11 , 5F092AC12 , 5F092AC26 , 5F092AD03 , 5F092AD24 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BD13 , 5F092BE25

引用特許：

審査官引用 (1件)

磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-182079 出願人：株式会社東芝

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