特許
J-GLOBAL ID：201803005167963851
薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-022304
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154672
特許番号：特許第6236792号
出願日： 2013年02月07日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上の半導体層と、該半導体層上のソース電極およびドレイン電極と、該半導体層と該ソースおよびドレイン電極との間に配置されたオーミックコンタクト層とが設けられ、該半導体層及び該オーミックコンタクト層はIn,Ga,Znのいずれか一つを含む酸化物で構成される薄膜トランジスタの製造方法であって、
結晶領域とアモルファス領域とを含む該半導体層となる膜と、アモルファス構造からなる該オーミックコンタクト層となる膜とが成膜条件の異なるスパッタ法により連続成膜される工程と、
該半導体層と該オーミックコンタクト層とが同時にパターニングされる工程と、
該オーミックコンタクト層上にソース電極およびドレイン電極が形成される工程と、
該ソース電極およびドレイン電極形成後に前記ソース電極と前記ドレイン電極と間のオーミックコンタクト層をエッチングにより消失させる工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, G09F 9/00 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 627 B
, H01L 29/78 616 K
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/50 M
, G09F 9/30 338
, G09F 9/00 338
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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