半導体装置及びその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-249031
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135766
出願日： 2009年10月29日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高く、膜厚が薄い半導体層を形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に半導体層と、前記半導体層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層とを有し、前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、前記半導体層の膜厚は、前記酸化物半導体層の膜厚より薄く、前記半導体層の導電率は、前記酸化物半導体層の導電率より高く、前記酸化物半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは電気的に接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (13件)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 618A , H01L29/78 618C , H01L29/78 616K , H01L21/28 301R , H01L21/90 A , H01L21/88 R , H01L21/28 301B , G02F1/1368 , H05B33/14 A

Fターム (156件)：

2H092HA14 , 2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA07 , 2H092MA05 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC31 , 3K107CC42 , 3K107EE04 , 3K107FF04 , 3K107FF14 , 3K107FF15 , 3K107GG28 , 3K107HH05 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD63 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH03 , 5F033GG03 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ83 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033VV15 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033WW06 , 5F033XX16 , 5F033XX27 , 5F033XX35 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ02 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (10件)

有機電界発光表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-094274 出願人：富士フイルム株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-009971 出願人：三星電子株式会社
TFT基板及びTFT基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-368735 出願人：出光興産株式会社

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