特許
J-GLOBAL ID：201103030536830707

半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器

発明者：
杉本 陽平

杉本 陽平 について

, 
宇都宮 純夫

宇都宮 純夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-171890
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029304
出願日： 2009年07月23日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：
【課題】IGZO層とITO層とを電気的に接続する場合には、易加工性を備え電気抵抗率が低いアルミ等の金属と高融点金属としてのチタン等との積層構造を用いる必要があるが、積層構造を形成する場合、複数の金属層を形成する必要がある。そのため製造工程が増えると共に、パーティクル等の発生確率が増え、歩留まりを落とすという課題がある。【解決手段】ITO等の金属酸化物を用いた画素電極2aが、層間絶縁層9に形成されたコンタクトホール9aを介してIGZO層を用いた配線層7aと電気的に接続している。画素電極2aとAl-Nd合金を用いた上電極6cと直接接触させた場合、コンタクト抵抗が高くなるが、配線層7aにIGZO層を用い、画素電極2aにITO等の第2金属酸化物配線層を用いた場合、互いの構造が類似していることから、密接させるだけで接触抵抗の増大を招くことなく電気的に導通を取ることが可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板表面側に配置され開口部を備える絶縁体層と、 前記絶縁体層の一方の面側に位置し、金属酸化物半導体層と第1金属酸化物配線層とを兼ねる第1金属酸化物層と、
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136
FI (8件)：
H01L29/78 616V ,  H01L21/90 A ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  G02F1/1368
Fターム (92件)：
2H092JA26 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA27 ,  2H092QA06 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG13 ,  5F033GG04 ,  5F033HH09 ,  5F033HH20 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK03 ,  5F033KK35 ,  5F033KK38 ,  5F033MM19 ,  5F033NN16 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX09 ,  5F033XX33 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HM12 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN14 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM