特許
J-GLOBAL ID:201803005369322556

抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置、及び不揮発性フリップフロップ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 英知国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-213779
公開番号(公開出願番号):特開2018-073445
出願日: 2016年10月31日
公開日(公表日): 2018年05月10日
要約:
【課題】抵抗変化を生じる記憶素子の一端に導電性電極、他端に読み出し電極を備え、導電性電極に電流を流すことにより記憶素子に抵抗変化を生じさせる抵抗変化型記憶素子において、抵抗変化型記憶素子へのデータの書き込みの終了を検出する。【解決手段】抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置1は、抵抗変化を生じる記憶素子の一端に導電性電極、他端に読み出し電極を備え、導電性電極に書き込み電流を流すことにより記憶素子に抵抗変化を生じさせる抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置であり、書き込み手段と、出力手段と、制御手段とを備える。出力手段を電源と読み出し電極間に設け、出力手段から、記憶素子からの読み出し信号及び書き込み手段による記憶素子の書き込み状態をモニタするモニタ信号を出力信号として出力する。モニタ信号によって抵抗変化型記憶素子へのデータの書き込みの終了を検出する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
抵抗変化を生じる記憶素子の一端に導電性電極、他端に読み出し電極を備え、前記導電性電極に書き込み電流を流すことにより前記記憶素子に抵抗変化を生じさせる抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置であって、 書き込み手段と、 記憶素子からの読み出し信号、及び書き込み手段による記憶素子の書き込み状態をモニタするモニタ信号を出力する出力手段と、 制御手段と、 を備え、 前記書き込み手段は、前記導電性電極への書き込み電流の電流方向を切り替えることにより前記抵抗変化型記憶素子の抵抗変化を生じさせ、前記書き込み電流の供給を停止しうる駆動手段を備え、 前記出力手段は、電源と前記読み出し電極間に設けられ、 前記制御手段は、前記抵抗変化型記憶素子への書き込み時に、前記出力手段からのモニタ信号に基づいて前記駆動手段を制御する ことを特徴とする抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置。
IPC (1件):
G11C 11/15
FI (1件):
G11C11/15 140

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