特許
J-GLOBAL ID：201803005522891514

スピントランスファートルク磁気メモリデバイス

発明者：
バルト・ソレ

バルト・ソレ について

, 
マルク・ヘインス

マルク・ヘインス について

, 
ジェフリー・プルトワ

ジェフリー・プルトワ について


出願人/特許権者：
アイメック

アイメック について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-190354
公開番号（公開出願番号）：特開2014-110419
特許番号：特許第6285130号
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2014年06月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ・トポロジカル絶縁体層(4)および絶縁体層(5)の交互配列した層を含む第1層構造(6)および第2層構造(7)と、 ・第1層構造(6)と第2層構造(7)との間に挟まれ、デバイスの値を表す磁化方向を有する磁気材料(2)とを備え、 第1層構造(6)および第2層構造(7)の各トポロジカル絶縁体層(4)は、磁気材料と直接接触している、スピントランスファートルク磁気メモリデバイス(1)。
IPC (5件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/12 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 27/105 447 ,  H01L 29/82 Z ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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