特許
J-GLOBAL ID：201803005793265414

基板処理装置及び基板処理方法

発明者：
佐々木 悠太

佐々木 悠太 について

, 
塙 洋祐

塙 洋祐 について


出願人/特許権者：
株式会社SCREENホールディングス

株式会社SCREENホールディングス について


代理人 (1件)： 小山 靖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-187013
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056176
出願日： 2016年09月26日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：
【課題】基板の表面に形成されたパターンが、結晶粒界の発生及び成長に起因して倒壊するのを防止しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】本発明の基板処理装置1は、融解状態の昇華性物質、及び当該昇華性物質に対し相溶性を示すアルコールを含む処理液を、基板Wのパターン形成面に供給する供給手段21と、前記処理液を、前記形成面上で凝固させて凝固体を形成する凝固手段と、前記凝固体を昇華させて、前記形成面から除去する昇華手段と、を備え、前記昇華性物質がフッ化炭素化合物を含むものであり、前記アルコールの濃度が、前記処理液に対し0.001体積%〜0.8体積%の範囲内であることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
融解状態の昇華性物質、及び当該昇華性物質に対し相溶性を示すアルコールを含む処理液を、基板のパターン形成面に供給する供給手段と、 前記処理液を、前記パターン形成面上で凝固させて凝固体を形成する凝固手段と、 前記凝固体を昇華させて、前記パターン形成面から除去する昇華手段と、 を備え、 前記昇華性物質はフッ化炭素化合物を含むものであり、 前記アルコールの濃度が、前記処理液に対し0.001体積%〜0.8体積%の範囲内であることを特徴とする、基板処理装置。
IPC (1件)：
H01L 21/304
FI (5件)：
H01L21/304 651B ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/304 651K ,  H01L21/304 651L
Fターム (41件)：
5F157AA09 ,  5F157AA42 ,  5F157AA46 ,  5F157AA63 ,  5F157AA71 ,  5F157AB02 ,  5F157AB14 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC03 ,  5F157AC04 ,  5F157AC26 ,  5F157BB22 ,  5F157BB44 ,  5F157BB66 ,  5F157BC53 ,  5F157BF03 ,  5F157BF04 ,  5F157BF06 ,  5F157BF22 ,  5F157BF44 ,  5F157BF47 ,  5F157BF52 ,  5F157BF58 ,  5F157BF92 ,  5F157BF93 ,  5F157BF94 ,  5F157BH19 ,  5F157BH21 ,  5F157CA03 ,  5F157CA24 ,  5F157CB02 ,  5F157CB03 ,  5F157CB14 ,  5F157CB15 ,  5F157CB29 ,  5F157CB32 ,  5F157CE36 ,  5F157CE43 ,  5F157DA21 ,  5F157DB33
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • ウェハの洗浄方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-179894   出願人：セントラル硝子株式会社
  • 基板乾燥装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-182917   出願人：株式会社SCREENホールディングス
  • 基板乾燥方法及び基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-110677   出願人：東京エレクトロン株式会社

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