特許
J-GLOBAL ID：201803005941586144

半導体素子の製造方法

発明者：
井上 直人

井上 直人 について

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日下 翔

日下 翔 について

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山本 稔

山本 稔 について

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茨木 幹之

茨木 幹之 について

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爲本 広昭

爲本 広昭 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-028535
公開番号（公開出願番号）：特開2018-142702
出願日： 2018年02月21日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：
【課題】得られる半導体素子の形状や寸法を高精度で制御することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】サファイア基板の上に半導体積層体が形成されたウェハを準備し、前記サファイア基板内にレーザ光を照射することにより前記サファイア基板内に亀裂を生じさせ、前記亀裂を起点として前記ウェハを分割することを含む半導体素子の製造方法であって、前記レーザ光を照射する際に、第1走査として、第1の深さ及び第1のパルスエネルギーでレーザ光を走査し、前記第1走査の後に、第2走査として、前記第1走査によって生じる改質領域の範囲内である第2の深さ及び前記第1のパルスエネルギーよりも大きな第2のパルスエネルギーでレーザ光を走査する半導体素子の製造方法。【選択図】図4B
請求項（抜粋）：
サファイア基板の上に半導体積層体が形成されたウェハを準備し、 前記サファイア基板内にレーザ光を照射することにより前記サファイア基板内に亀裂を生じさせ、 前記亀裂を起点として前記ウェハを分割することを含む半導体素子の製造方法であって、 前記レーザ光を照射する際に、 第1走査として、第1の深さ及び第1のパルスエネルギーでレーザ光を走査し、 前記第1走査の後に、第2走査として、前記第1走査によって生じる改質領域に沿って、前記第1走査によって生じる改質領域の範囲内である第2の深さ及び前記第1のパルスエネルギーよりも大きな第2のパルスエネルギーでレーザ光を走査する半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/53
FI (3件)：
H01L21/78 B ,  B23K26/00 N ,  B23K26/53
Fターム (21件)：
4E168AE02 ,  4E168CB02 ,  4E168DA02 ,  4E168DA24 ,  4E168DA32 ,  4E168DA40 ,  4E168DA46 ,  4E168DA47 ,  4E168JA11 ,  4E168JA27 ,  4E168KA04 ,  4E168KA08 ,  5F063AA05 ,  5F063BA47 ,  5F063CB07 ,  5F063CB17 ,  5F063CB28 ,  5F063DD27 ,  5F063DD29 ,  5F063DD32 ,  5F063DD81
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (3件)

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