特許
J-GLOBAL ID：201403090524801471
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
豊栖 康弘
, 豊栖 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-175470
公開番号（公開出願番号）：特開2014-036062
出願日： 2012年08月07日
公開日（公表日）： 2014年02月24日
要約：
【課題】割断を行えるように改質領域を広く確保しつつも、光出力の低下を抑制する。【解決手段】半導体発光素子は、基板と、基板の第一主面上に積層された半導体構造とを備える。基板は、その側面に、基板の厚さ方向に部分的に重なった2本の改質ラインで構成された改質領域を備えており、改質領域を、第一主面と反対側の第二主面側に偏心して設ける。これにより、改質領域のトータルの幅を狭くして、半導体発光素子の光出力の低下を抑制させつつも、基板の半導体構造を設けた面の裏面側である第二主面側に改質領域を近接させたことで、クラックを裏面側に走らせ易くし、割断を確実に行えるようにして、割断のし易さと光出力の確保を両立させることができる。【選択図】図5A
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の第一主面上に積層された半導体構造と
を備える半導体発光素子であって、
前記基板は、その側面に、前記基板の厚さ方向に部分的に重なった2本の改質ラインで構成された改質領域を備えており、
前記改質領域が、前記第一主面と反対側の第二主面側に偏心して設けられることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, H01L 21/301
H01L33/00 Z
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, H01L21/78 V
, H01L21/78 B
4E068AA02
, 4E068AD00
, 4E068AE00
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA09
, 4E068CA15
, 4E068DA09
, 4E068DB11
, 5F141AA04
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA74
, 5F141CA76
, 5F141CA77
, 5F141CA88
