特許
J-GLOBAL ID：200903013975699056

半導体発光素子の分離方法

発明者：
前田 将

前田 将 について

, 
笹木 隆一郎

笹木 隆一郎 について


出願人/特許権者：
アイシン精機株式会社

アイシン精機株式会社 について

, 
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-279511
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098465
出願日： 2006年10月13日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】消耗品であるダイサーやスクライバーを用いない半導体発光素子の分離方法。【解決手段】サファイア基板10の一方の面12に、III族窒化物系化合物半導体発光素子部30をエピタキシャル成長及び電極形成その他により形成し(3.A)、分離線付近に形成された不要部をエッチングより除去した(3.B)。粘着テープ60を接着させ、面11側から、フェムト秒パルスレーザを走査して、溝部50と改質部51乃至54を形成した。直線偏光成分が分離予定面と平行となるように設定した。溝部50と改質部51は分離線方向に連続するように、改質部52乃至54を形成する際は分離線方向に連続しないように走査速度を設定し、改質部54、改質部53、改質部52、溝部50、改質部51の順に形成した(3.C及び3.D)。ブレーキング刃を用いて、外力を加えて個々の素子に分離した(3.E)。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、 パルス幅が10ピコ秒未満であるパルスレーザを前記基板において集光させて、多光子吸収を発生させることにより、 前記基板の表面の分離予定線に沿って、前記パルスレーザにより形成された実質的に分離予定線方向に連続した溝部と、 前記基板の内部の所定の深さに、分離予定面に対応して、前記パルスレーザにより形成された分離予定線方向に連続しない内部改質部とを形成し、 外力を加えて、前記連続した溝部と前記連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離することを特徴とする半導体発光素子の分離方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/073
FI (4件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/78 B ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/073
Fターム (7件)：
4E068AE01 ,  4E068CD05 ,  4E068DA10 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (10件)
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