特許
J-GLOBAL ID：201803005975552800
エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-216557
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079877
特許番号：特許第6239339号
出願日： 2013年10月17日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上のシリコン含有膜を、フッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを用いてエッチングし、副生成物としてケイフッ化アンモニウムが生成されるエッチング装置であって、
シリコン含有層を有する基板が収容されるチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられた基板載置機構と、
前記チャンバー内にフッ素および水素および窒素を含むエッチングガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と
を備え、
前記基板載置機構は、
基板を載置する載置面を有する載置台と、
前記載置台の前記載置面の温度を50°C以下の温度に温調するための温調機構と、
前記載置台の前記載置面以外の面の少なくとも一部を60〜100°Cに加熱するための加熱部材と
を有し、
前記載置台の少なくとも前記載置面は、樹脂製のコーティング層が形成されていることを特徴とするエッチング装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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